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MT40A2G16TBB-062E:F TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 32Gb（2G x 16） 并联 1.6 GHz 13.75 ns 96-FBGA（7.5x13）
MT40A2G16TBB-062E:F
MT49H16M36SJ-18:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb（16M x 36） 并联 533 MHz 15 ns 144-FBGA（18.5x11）
MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6
存储器 IC
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 24Gb（768M x 32） 2.133 GHz
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E TR
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 24Gb（768M x 32） 1.866 GHz
MT53E768M32D4DT-046 AUT:E TR
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E
MT53E512M64D2HJ-046 WT:B
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb（512M x 64） 并联 2.133 GHz 3.5 ns 556-TFBGA（12.4x12.4）
MT53E1G32D2FW-046 WT:B
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb（1G x 32） 并联 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA（10x14.5）
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb（512M x 64） 1.866 GHz 556-WFBGA（12.4x12.4）
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb（512M x 64） 2.133 GHz 376-WFBGA（14x14）
MT53D512M64D4SB-046 XT:E
SDRAM - Mobile LPDDR4 存储器 IC 32Gb（512M x 64） 2.133 GHz
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B
闪存 - NAND 存储器 IC 512Gb（64G x 8） 并联 333 MHz 132-VBGA（12x18）
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B TR
FLASH - NAND（TLC） 存储器 IC 2Tb（256G x 8） 并联 132-VBGA（12x18）
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B
MT29VZZZAD9FQFSM-046 W.G9K TR
Micron(美光)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Micron供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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