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MT45W2MW16BGB-708 AT
PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 32Mb（2M x 16） 并联 70 ns 54-VFBGA（6x8）
MT45W2MW16BGB-701 IT
MT45W1MW16PDGA-70 IT
PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb（1M x 16） 并联 70 ns 48-VFBGA（6x8）
MT45W1MW16BDGB-708 AT
PSRAM（伪 SRAM） 存储器 IC 16Mb（1M x 16） 并联 70 ns 54-VFBGA（6x8）
MT45W1MW16BDGB-701 IT
MT29C1G12MAACVAMD-5 E IT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb（64M x 16）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM） 并联 200 MHz 130-VFBGA（8x9）
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（16M x 32）（LPDRAM） 并联 166 MHz 130-VFBGA（8x9）
MT29C1G12MAACAFAKD-6 IT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（16M x 32）（LPDRAM） 并联 166 MHz 137-TFBGA（10.5x13）
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 1Gb（128M x 8）（NAND），512Mb（32M x 16）（LPDRAM） 并联 166 MHz 130-VFBGA（8x9）
MT41K256M16HA-125:E
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA（9x14）
MT29C4G96MAZBACKD-5 WT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（256M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM） 并联 200 MHz 137-TFBGA（10.5x13）
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT TR
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（256M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM） 并联 200 MHz 168-VFBGA（12x12）
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（512M x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM） 并联 200 MHz 137-TFBGA（10.5x13）
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（512M x 8）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM） 并联 200 MHz 168-VFBGA（12x12）
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（256M x 16）（NAND），4Gb（128M x 32）（LPDRAM） 并联 200 MHz 137-VFBGA（13x10.5）
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb（256M x 16）（NAND），2Gb（128M x 16）（LPDRAM） 并联 200 MHz 137-VFBGA（13x10.5）
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR
Micron(美光)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Micron供应商
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