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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
MT29F4G16ABBDAH4:D TR
MT29F4G16ABAEAWP-IT:E TR
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 48-TSOP I
MT29F4G16ABAEAWP:E TR
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
MT29F4G16ABAEAH4:E TR
MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
MT29F4G16ABADAH4:D TR
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
MT29F4G08ABBEAH4:E TR
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
MT29F4G08ABADAH4-ITX:D TR
MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（4G x 1） SPI 63-VFBGA（10.5x13）
MT41K256M16HA-125 M:E TR
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 4Gb（256M x 16） 并联 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA（9x14）
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR
存储器 IC
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2 存储器 IC 4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2） 并联 533 MHz 162-VFBGA（11.5x13）
Micron(美光)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Micron供应商
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