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MT40A1G16TB-062E:F TR相关型号
  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 6ns 8-Pin WPDFN EP Tray

  • MT25QU512ABB8E120SIT

    NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 1.8V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 6ns 24-Pin TPBGA T/R

  • MT25QL512ABB8E120SIT

    NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 512M-bit 512M/256M/128M x 1/2-bit/4-bit 6ns 24-Pin TPBGA T/R

  • JS28F640P33TF70A

    美国美光 闪存, 64Mbit, 并行接口, TSOP封装, 56引脚, NOR单元

  • JR28F064M29EWTA

    美国美光 闪存, 64Mbit, 并行接口, TSOP封装, 48引脚, NOR单元

  • N25Q064A11EF640E

    美国美光 闪存, 64Mbit, SPI接口, MLP封装, 8引脚, NOR单元

  • M45PE40S-VMN6P

    美国美光 闪存, 4Mbit, SPI接口, SOIC封装, 8引脚, NOR单元

  • PC28F640P33BF60A

    美国美光 闪存, 64Mbit, 并行接口, EBGA封装, 64引脚, NOR单元

Micron热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MT40A1G16TB-062E:F TR

  • 制造商:Micron
  • 批号:23+
  • 描述:动态随机存取存储器 DDR4 16G 1GX16 FBGA
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,MT40A1G16TB-062E:F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 类型SDRAM - DDR4
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体FBGA-96
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织1 G x 16
  • 存储容量16 Gbit
  • 最大时钟频率
  • 访问时间625 ps
  • 电源电压-最大1.26 V
  • 电源电压-最小1.14 V
  • 电源电流—最大值
  • 最小工作温度0 C
  • 最大工作温度+ 95 C
  • 系列
  • 封装Reel

其它信息

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Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商

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