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M29W400DB45N6E
FLASH - NOR 存储器 IC 4Mb(512K x 8,256K x 16) 并联 45 ns 48-TSOP I
M29W320DB80ZA3E
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb(4M x 8,2M x 16) 并联 80 ns 63-TFBGA(7x11)
M29W320DB7AN6E
FLASH - NOR 存储器 IC 32Mb(4M x 8,2M x 16) 并联 70 ns 48-TSOP I
N25Q128A13E1441F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 24-BGA(6x8)
N25Q128A13E1440F TR
N25Q128A13E12A0F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 24-T-PBGA(6x8)
N25Q128A13BSFH0F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 16-SO
N25Q128A11E1241F TR
MT40A2G8SA-062E:F
DRAM Chip DDR4 SDRAM 16Gbit 2Gx8 1.2V
MT41K256M8DA-125:K
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA Tray
MT53E256M32D2DS-053 WT:BTR
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA T/R
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
DDR4 SDRAM -25 to 85 C
MT40A512M16TB-062E:J
DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin FBGA Tray
MT41K128M16JT-125 AUT:K
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V Automotive AEC-Q100 96-Pin FBGA
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V Automotive 200-Pin WFBGA
MT46V64M8CY-5B:J
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA
图片仅供参考,请参考产品描述
优势价格,MT29F1G08ABAEAH4-AATX:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
详细参数
暂无参数
其它信息
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