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MT29F64G08CBHGBJ4-3RES:G TR
闪存 - NAND 存储器 IC 64Gb(8G x 8) 并联 333 MHz 132-VBGA(12x18)
MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
FLASH - NAND,DRAM - LPDDR3 存储器 IC 64Gb(8G x 8)(NAND),8Gb(256M x 32)(LPDDR3) MMC,LPDRAM 933 MHz 221-WFBGA(13x11.5)
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR
闪存 - NAND 存储器 IC 64Gb(8G x 8) 并联 83 MHz 132-VBGA(12x18)
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
闪存 - NAND 存储器 IC 64Gb(8G x 8) 并联 100 MHz 48-TSOP I
MT29TZZZ8D5BKFAH-125 W.95K TR
FLASH - NAND,DRAM - LPDDR3 存储器 IC 64Gb(8G x 8)(NAND),8Gb(256M x 32)(LPDDR3) MMC,LPDRAM 800 MHz
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR
存储器 IC
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2 存储器 IC 4Gb(256M x 16)(NAND),4G(128M x 32)(LPDDR2) 并联 533 MHz
MT40A2G8SA-062E:F
DRAM Chip DDR4 SDRAM 16Gbit 2Gx8 1.2V
MT41K256M8DA-125:K
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78-Pin FBGA Tray
MT53E256M32D2DS-053 WT:BTR
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA T/R
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D
DDR4 SDRAM -25 to 85 C
MT40A512M16TB-062E:J
DRAM Chip DDR4 SDRAM 8Gbit 512Mx16 1.2V 96-Pin FBGA Tray
MT41K128M16JT-125 AUT:K
DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V Automotive AEC-Q100 96-Pin FBGA
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V Automotive 200-Pin WFBGA
MT46V64M8CY-5B:J
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA
图片仅供参考,请参考产品描述
优势价格,AS4C8M32S-7BCNTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
详细参数
暂无参数
其它信息
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