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M29W160ET7AZA6F TR相关型号
  • MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B

    FLASH - NAND(SLC) 存储器 IC 256Gb(32G x 8) 并联 167 MHz 152-TBGA(14x18)

  • MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B

    闪存 - NAND 存储器 IC 1.125Tb(144G x 8) 并联 333 MHz 132-VBGA(12x18)

  • MT29F1T208ECCBBJ4-37:B

    闪存 - NAND 存储器 IC 1.125Tb(144G x 8) 并联 267 MHz 132-VBGA(12x18)

  • MT29F1T08CUCBBH8-6R:B

    闪存 - NAND 存储器 IC 1Tb(128G x 8) 并联 167 MHz 152-LBGA(14x18)

  • MT40A2G8NRE-083E:B

    SDRAM - DDR4 存储器 IC 16Gb(2G x 8) 并联 1.2 GHz 78-FBGA(8x12)

  • MT40A2G8FSE-093E:A

    SDRAM - DDR4 存储器 IC 16Gb(2G x 8) 并联 1.066 GHz 78-FBGA(9.5x13)

  • MT40A2G4WE-083E:B

    SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(2G x 4) 并联 1.2 GHz 78-FBGA(8x12)

  • MT40A2G4WE-075E:B

    SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(2G x 4) 并联 1.33 GHz 78-FBGA(8x12)

Micron热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • M29W160ET7AZA6F TR

  • 制造商:Micron Technology Inc.
  • 批号:23+
  • 描述:FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb(2M x 8,1M x 16) 并联 70 ns 48-TFBGA(6x8)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,M29W160ET7AZA6F TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商Micron Technology Inc.
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量16Mb(2M x 8,1M x 16)
  • 存储器接口并联
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)

其它信息

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