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MT47H64M8JN-25E:G相关型号
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    闪存 - NAND 存储器 IC 128Gb(16G x 8) 并联 48-TSOP I

  • MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A

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    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb(512M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 168-VFBGA(12x12)

  • MT29C8G96MAZBADKD-5 IT

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb(512M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 168-VFBGA(12x12)

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    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb(512M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 168-VFBGA(12x12)

  • MT29C8G96MAZBADJV-5 IT

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb(512M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 168-VFBGA(12x12)

  • MT29C4G96MAYBACJG-5 WT

    闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(512M x 8)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 200 MHz 168-VFBGA(12x12)

Micron热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • MT47H64M8JN-25E:G

  • 制造商:Micron Technology Inc.
  • 批号:23+
  • 描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA(8x10)
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:5000+

优势价格,MT47H64M8JN-25E:G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商Micron Technology Inc.
  • 系列-
  • 包装散装
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR2
  • 存储容量512Mb(64M x 8)
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间400 ps
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度0°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳60-TFBGA
  • 供应商器件封装60-FBGA(8x10)

其它信息

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