Micron相关型号_深圳市芯幂科技有限公司

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 166 MHz 5 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb（8M x 16）并联 166 MHz 5 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 125 MHz 6 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 125 MHz 6 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb（16M x 32）并联 166 MHz 5 ns 152-VFBGA（14x14）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb（16M x 32）并联 166 MHz 5 ns 152-VFBGA（14x14）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 166 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 166 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb（16M x 16）并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA（8x9）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb（64M x 16）并联 200 MHz 5 ns 60-VFBGA（10x11.5）

SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb（4M x 32）并联 166 MHz 5 ns 90-VFBGA（8x13）

闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb（128M x 16）（NAND），1Gb（32M x 32）（LPDRAM）并联 166 MHz

闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（256M x 16）并联 48-TSOP I

闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb（512M x 8）并联 48-TSOP I

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 125 MHz 6 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 125 MHz 6 ns 54-VFBGA（8x8）

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 166 MHz 5 ns 54-VFBGA（6x9）

Micron(美光)的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格是以终端使用（制造工厂、大专院校、研究院所）为主要客户的Micron供应商