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MT48H32M16LFBF-6:B
SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 166 MHz 5 ns 54-VFBGA(6x9)
MT29F4G08AACHC:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
MT29F2G08ABDWP:D TR
闪存 - NAND 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 48-TSOP I
MT29F1G16ABCHC-ET:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
MT29F1G16ABCHC:C TR
MT29F1G08ABCHC-ET:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 1Gb(128M x 8) 并联 63-VFBGA(10.5x13)
MT29F1G08ABCHC:C TR
MT41J512M8THU-187E:A
SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 533 MHz 13.125 ns
MT41J512M8THU-15E:A
SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 667 MHz 13.5 ns
MT41J512M4JE-15E:A
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(512M x 4) 并联 667 MHz 13.5 ns 82-FBGA(12.5x15.5)
MT41J256M8JE-15E:A
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 667 MHz 13.5 ns 82-FBGA(12.5x15.5)
MT29F4G16ABCWC:C
闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb(256M x 16) 并联 48-TSOP I
M25PX16-VMW6TG TR
FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb(2M x 8) SPI 75 MHz 8-SO W
M58LR128KB85ZB5E
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(8M x 16) 并联 66 MHz 85 ns 56-VFBGA(7.7x9)
M58LR256KT70ZC5E
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 66 MHz 70 ns 79-VFBGA(9x11)
M29W256GH70N6E
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(32M x 8,16M x 16) 并联 70 ns 56-TSOP
M29DW256G70ZA6E
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 70 ns 64-TBGA(10x13)
M29W256GL70ZS6F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(32M x 8,16M x 16) 并联 70 ns 64-FBGA(11x13)
M29W256GL70ZA6E
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(32M x 8,16M x 16) 并联 70 ns 64-TBGA(10x13)
M29W256GL70N6E
Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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