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闪存 - NAND 存储器 IC 16Gb(2G x 8) 并联 48-TSOP I

MT49H8M36SJ-TI:B TR

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-FBGA(18.5x11)

MT49H8M36SJ-TI:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-FBGA(18.5x11)

MT29F16G08ABACAWP:C TR

闪存 - NAND 存储器 IC 16Gb(2G x 8) 并联 48-TSOP I

MT49H8M36SJ-5:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 200 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)

MT49H8M36FM-25 IT:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)

MT49H8M36BM-TI:B TR

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-μBGA(18.5x11)

MT49H8M36BM-TI:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-μBGA(18.5x11)

MT49H8M36BM-5:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 200 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H64M9FM-25E:B TR

DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H64M9FM-25E:B

DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H64M9FM-25:B TR

DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H32M18FM-25E:B TR

DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H32M18FM-25:B TR

DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H64M9FM-25:B

DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT49H32M9FM-33:B

DRAM 存储器 IC 288Mb(32M x 9) 并联 300 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR

闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(256M x 16)(NAND),4Gb(128M x 32)(LPDRAM) 并联 208 MHz 168-VFBGA(12x12)

MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR

闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(512M x 8)(NAND),2G(64M x 32)(LPDRAM) 并联 208 MHz 137-VFBGA(13x10.5)

MT49H16M18FM-25 IT:B TR

DRAM 存储器 IC 288Mb(16M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)

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