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MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR
闪存 - NAND 存储器 IC 128Gb(16G x 8) 并联 83 MHz 100-LBGA(12x18)
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR
闪存 - NAND 存储器 IC 128Gb(16G x 8) 并联 48-TSOP I
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M18CSJ-25E:B
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
MT49H32M18CSJ-25E IT:B
MT49H32M18CFM-25E:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H32M18CFM-25E:B
MT49H32M18CFM-25:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H32M18CFM-25:B
MT49H32M18CFM-18:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 533 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H32M18CFM-18:B
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR
MT49H32M18CBM-25 IT:B
MT49H16M36FM-25E:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(16M x 36) 并联 400 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H16M36FM-25:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(16M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H16M36FM-18:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(16M x 36) 并联 533 MHz 15 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H32M18FM-33:B
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 300 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)
MT49H16M18FM-33:B
DRAM 存储器 IC 288Mb(16M x 18) 并联 300 MHz 20 ns 144-μBGA(18.5x11)
Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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