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MT49H32M18SJ-25E:B
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 2Gb(64M x 32) 并联 533 MHz 134-VFBGA(10x11.5)
EDB1332BDPC-1D-F-R TR
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb(32M x 32) 并联 533 MHz 134-VFBGA(10x11.5)
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 533 MHz 134-VFBGA(10x11.5)
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
MT40A512M16JY-075E IT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(512M x 16) 并联 1.33 GHz 96-FBGA(8x14)
MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR:D TR
闪存 - NAND 存储器 IC 64Gb(8G x 8) 并联 167 MHz 132-VBGA(12x18)
MT25QL256ABA1EW9-0AAT TR
FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb(32M x 8) SPI 133 MHz 8-WPDFN(6x8)(MLP8)
MT49H32M18CSJ-18:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 533 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M18SJ-18:B TR
MT49H32M18SJ-25E:B TR
MT49H64M9SJ-25E:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M18SJ-25:B TR
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR
DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M9SJ-25:B TR
DRAM 存储器 IC 288Mb(32M x 9) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR
DRAM 存储器 IC 288Mb(16M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR
Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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