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MT29E512G08CMCCBH7-6:C
闪存 - NAND 存储器 IC 512Gb(64G x 8) 并联 167 MHz 152-TBGA
MT29E256G08CECCBH6-6:C
闪存 - NAND 存储器 IC 256Gb(32G x 8) 并联 167 MHz 152-VBGA(14x18)
MT29F1T08CUCCBH8-6C:C
闪存 - NAND 存储器 IC 1Tb(128G x 8) 并联 167 MHz 152-LBGA(14x18)
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 128Gb(16G x 8) 并联 166 MHz 152-VBGA(14x18)
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 512Gb(64G x 8) 并联 167 MHz 152-TBGA(14x18)
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
闪存 - NAND 存储器 IC 2Tb(256G x 8) 并联 167 MHz 152-LBGA(14x18)
MT49H64M9SJ-25E:B
DRAM 存储器 IC 576Mb(64M x 9) 并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M18SJ-25:B
DRAM 存储器 IC 576Mb(32M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H16M18SJ-25 IT:B
DRAM 存储器 IC 288Mb(16M x 18) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H32M9SJ-25:B
DRAM 存储器 IC 288Mb(32M x 9) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H8M36SJ-25:B
DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H16M36SJ-25:B
DRAM 存储器 IC 576Mb(16M x 36) 并联 400 MHz 20 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT49H8M36SJ-25 IT:B
MT49H16M18CSJ-25:B
MT49H16M36SJ-25 IT:B
MT49H8M36SJ-25E:B
DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 400 MHz 15 ns 144-FBGA(18.5x11)
MT42L64M32D1LF-18 IT:C
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 2Gb(64M x 32) 并联 533 MHz 168-FBGA(12x12)
MT42L32M16D1FE-25 IT:A
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 400 MHz 121-FBGA(6.5x8)
MT42L16M32D1AC-25 IT:A
SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 400 MHz 134-VFBGA(10x11.5)
Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商
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