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MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT
闪存 - NAND,移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb(512M x 8)(NAND),2G(64M x 32)(LPDRAM) 并联 208 MHz 137-VFBGA(13x10.5)
MT40A512M8RH-083E IT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 1.2 GHz 78-FBGA(9x10.5)
MT40A512M16JY-083E IT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(512M x 16) 并联 1.2 GHz 96-FBGA(8x14)
MT40A2G8NRE-083E:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 16Gb(2G x 8) 并联 1.2 GHz 78-FBGA(8x12)
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR
MT41K64M16TW-107 XIT:J
SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb(64M x 16) 并联 933 MHz 20 ns 96-FBGA(8x14)
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR
MT40A2G4WE-075E:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(2G x 4) 并联 1.33 GHz 78-FBGA(8x12)
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb(256M x 16) 并联 1.33 GHz 96-FBGA(9x14)
MT40A256M16GE-083E IT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 4Gb(256M x 16) 并联 1.2 GHz 96-FBGA(9x14)
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(1G x 8) 并联 1.2 GHz 78-FBGA(8x12)
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR
MT40A1G8WE-083E:B TR
MT40A1G8WE-075E:B TR
SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb(1G x 8) 并联 1.33 GHz 78-FBGA(8x12)
N25Q128A13ESFA0F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 16-SO
N25Q128A11ESE40F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 8-SO
N25Q128A11EF840F TR
FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb(32M x 4) SPI 108 MHz 8-VDFPN(MLP8)(8x6)
Micron(美光)的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户的Micron供应商
深圳市芯幂科技有限公司
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